잘못 찍은 펜이 반도체를 만들었다

In 1916, the Polish chemist Jan Czochralski dipped his pen into a crucible of molten tin instead of an inkwell and drew out a thin filament that cooled into a perfect single crystal.

1916년, 폴란드의 화학자 얀 초크랄스키는 잉크병 대신 용융 주석이 담긴 도가니에 펜을 담갔고, 식으면서 완벽한 단결정이 된 가느다란 필라멘트를 뽑아냈다.

The accident, reported two years later in Zeitschrift fur physikalische Chemie, offered a new way to measure how fast metals crystallize.

2년 뒤 Zeitschrift fur physikalische Chemie에 보고된 이 우연한 사건은 금속이 얼마나 빠르게 결정화되는지를 측정하는 새로운 방법을 제시했다.

For Czochralski, that measurement was the point.

초크랄스키에게 그 측정 자체가 핵심이었다.

However, the real significance of pulling a crystal from a melt would not surface until three decades later, when Gordon Teal and John Little at Bell Labs adapted the technique to germanium and grew single crystals pure enough for transistors.

그러나 용융액에서 결정을 끌어올리는 것의 진정한 의의는 30년이 지나서야 비로소 드러났는데, 벨 연구소의 고든 틸과 존 리틀이 이 기술을 게르마늄에 적용하여 트랜지스터에 사용할 수 있을 만큼 순도 높은 단결정을 길러냈을 때였다.

After moving to Texas Instruments in 1953, Teal produced silicon transistors from crystals pulled from a melt, tying crystal growth directly to the emerging semiconductor industry.

1953년 텍사스 인스트루먼츠로 이직한 후 틸은 용융액에서 끌어올린 결정으로 실리콘 트랜지스터를 생산했고, 결정 성장을 당시 떠오르는 반도체 산업에 직접 연결시켰다.

The leap from tin to silicon transformed a laboratory curiosity into the foundation of modern chip fabrication.

주석에서 실리콘으로의 도약은 실험실의 호기심거리를 현대 칩 제조의 기반으로 탈바꿈시켰다.

Today more than ninety percent of the silicon wafers inside integrated circuits begin as ingots drawn by the Czochralski method, a technology born from a misplaced pen.

오늘날 집적 회로 안의 실리콘 웨이퍼 중 90퍼센트 이상이 초크랄스키 법으로 뽑아낸 주괴에서 시작되는데, 이는 잘못 놓인 펜 하나에서 탄생한 기술이다.